1.学科建设成效

学科建设   2021年10月26日入选全国首批“集成电路科学与工程”一级学科博士学位授权点，并获批教育部“集成电路高层次人才培养专项”；2022年4月挂牌成立了集成电路研究院；“集成电路设计与集成系统专业”虚拟教研室入选教育部首批虚拟教研室建设试点;新增备案本科专业“集成电路设计与集成系统（二学位）”入选全国首批科学家精神教育基地。

师资队伍  现拥有全国高校黄大年式教师团队（2022年）、国家自然科学基金创新研究群体、2021年全国教书育人楷模、2022年陕西最美科技工作者、国家级人才38人次、 省级人才25人次，已形成以郝跃院士为代表，一批高层次人才为骨干的国内一流师资团队；2022年新增华山学者领军教授5人、特聘教授5人，引聘菁英副教授5人、准聘副教授4人、博士后4人；入选“万人计划”领军人才1人、GF卓青1人、优青1人、海外优青1人，新增陕西省杰青2人、陕西省高层次人才引进青年项目1人、JS领域青托人才1人，获批国家部委人才项目1人。

2.技术攻关成效

平台聚焦高端射频器件、电力电子器件、新型存储器件以及高性能集成电路 AD/DA转换芯片等技术领域，长期专注于开展宽禁带半导体材料和器件、集成电路设计、以及EDA工具研究。积极承担国家和省部级重点科技创新任务，累计到校科研经费超4.9亿元；获教育部自然科学奖一等奖1项，中国电子学会一等奖1项，陕西省科学技术发明一等奖4项，陕西省电子学会科技一等奖2项，陕西高等学校科学研究优秀成果奖1项，何梁何利青年创新奖1项，2023年荣获GF创新团队奖。主要成果如下：

高能效氮化镓射频功率器件核心技术。 创新提出了针对氮化镓微波功率器件的复合绝缘栅、沟道电场调控等核心技术，实现了 C波段国际领先效率(PAE>85%)的氮化镓射频功率器件，器件的非线性降低9dBc，成功应用于雷达探测、卫星通信、5G基站等国家重大工程，在氮化镓射频器件领域专利数量全球第一。

新型异质结构宽禁带半导体功率器件与材料。 构建了耐高温、耐高压异质结构理论，提出了应变背势垒、超晶格沟道等新型异质结构，使氮化镓晶体管高温功率特性提高 5.4倍，二极管开启电压降低70%，实现了国际领先性能的氮化镓SBD和RTD半导体器件。

低缺陷氮化镓材料生长技术与紫外 LED器件。 提出了脉冲式分时输运方法，成为国际主流技术之一；成功实现了国际领先水平的低缺陷密度 AlN和高Al组分AlGaN材料生长，为我国高效率、低能耗、长寿命紫外光源技术发展与产业化做出重大贡献。

3.人才培养成效

平台自批复建设以来持续与陕西半导体先导技术中心有限公司等企业联合开展生产实习、技术论坛、公开课、讲座报告等形式多样的人才实训；积极组织学生参加各类竞赛，获各类学科竞赛省级以上奖项 560余人次，包括全国“互联网+”大赛金奖1项、银奖2项，全国集成电路创新创业大赛一等奖5项、二等奖13项，全国研究生电子设计竞赛一等奖4项、二等奖5项。连续五年获中国研究生创“芯”大赛最高奖“创芯之星”，并于2022年代表中国大陆高校首次问鼎ISPD国际集成物理设计竞赛冠军；获陕西省博士后创新创业大赛金奖1项。